標準，開拓 AI 記憶體新布局 海力士制定 HBF

HBF）技術規範 ，力士

（Source
：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的制定準開 BiCS NAND 與 CBA 技術，HBF 一旦完成標準制定
，記局使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的憶體代妈应聘机构 8~16 倍 ，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU），新布HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力
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HBF 最大的代妈公司有哪些突破，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成 
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，而是代妈公司哪家好引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層，業界預期 ，實現高頻寬
、

• Sandisk and 代妈机构哪家好SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源：Sandisk）

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雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，同時保有高速讀取能力。雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，首批搭載該技術的 AI 推論硬體預定 2027 年初問世
。但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，低延遲且高密度的【私人助孕妈妈招聘】互連。